晶圓再生業(yè)務(wù)
再生晶圓是晶圓廠各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的重要材料，可用于監(jiān)控制程參數(shù)與生產(chǎn)環(huán)境等，同時(shí)可以減少成本消耗，是提高產(chǎn)品良率、降低成本的關(guān)鍵要素。因此，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)能不斷擴(kuò)增，再生晶圓的需求也跟著增加。
晶圓再生就是將生產(chǎn)過程中用過的擋控片回收，經(jīng)過一系列精密的加工工藝，將擋控片表面的膜層、金屬元素、顆粒殘留等去掉，使他們能夠重新具備測(cè)試和維持機(jī)臺(tái)穩(wěn)定性功能的過程。
擋/控片是晶圓廠生產(chǎn)環(huán)節(jié)中的重要輔助部件，可用于監(jiān)控制程參數(shù)與生產(chǎn)環(huán)境等，同時(shí)可以減少成本消耗，是提高產(chǎn)品良率、降低成本的關(guān)鍵要素。因此，隨著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)能不斷擴(kuò)增，再生晶圓的需求也跟著增加。
擋片介紹
擋片的作用是維持機(jī)臺(tái)的穩(wěn)定性。在機(jī)臺(tái)（如PVD、CVD、氧化擴(kuò)散等）里，如果該批次的片子不滿，用擋片把空余的位置填充起來，維持氣流穩(wěn)定性和均勻性，從而使氣流中的反應(yīng)氣體與被加工硅片均勻接觸、均勻受熱，發(fā)生化學(xué)物理反應(yīng)，沉淀或生長(zhǎng)均勻的高質(zhì)量薄膜。
控片介紹
控片的作用是監(jiān)控生產(chǎn)機(jī)臺(tái)和工藝的穩(wěn)定性與可靠性。產(chǎn)品投產(chǎn)之前，需要用控片來試加工一下，檢驗(yàn)機(jī)臺(tái)是否正常；產(chǎn)品生產(chǎn)過程中，需要在正片中混雜一些控片，工藝完成后，可以用控片來判斷該批次作業(yè)是否正常。
晶圓再生工藝介紹
● 再生廠對(duì)要進(jìn)行再生的已使用晶圓進(jìn)行整理歸類，包括表面篩查、晶圓種類的區(qū)分以及幾何參數(shù)的設(shè)置。
● 芯片制造商使用過的測(cè)試片因制程的不同而使其表面受到不同程度的污染，需要通過歸類來決定接下來需要清洗的步驟。
● 測(cè)試片是否需要經(jīng)過剝離程序取決于其表面的狀況。整個(gè)程序在自動(dòng)成批化學(xué)品浸濕槽中進(jìn)行，包括過氧化氫混合物、氫氟酸蝕刻和堿性蝕刻等清洗，工藝體現(xiàn)在氧化劑配方及浸泡時(shí)間的控制。
● 經(jīng)過化學(xué)氧化劑將晶圓表面侵蝕，時(shí)間過快可能導(dǎo)致剝離不干凈，過慢可能導(dǎo)致侵蝕過度而影響回收次數(shù)，另外還需確保不受化學(xué)氧化劑的交叉污染。
● 絕緣層較厚的測(cè)試晶圓可能需要研磨并去除其他薄膜層和邊緣圓整。研磨工藝和化學(xué)機(jī)械加工類似，但去除速度快，均勻性也較差。完成研磨后，將執(zhí)行更有統(tǒng)一性和最終拋光的步驟。
● 研磨后的晶圓需要進(jìn)行拋光，拋光可以是單面和雙面的，通常是通過化學(xué)試劑和機(jī)械共同進(jìn)行，同樣拋光過程要避免化學(xué)試劑的交叉污染以及注意拋光程度的掌握。拋光最后可能留下殘余顆粒和金屬污染物。
● 最終的清理過程在浸沒槽中完成，包括使用氧化物對(duì)拋光程序殘留下的顆粒進(jìn)行清除。最后再通過表面張力烘干機(jī)對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行干燥。整個(gè)再生過程涉及多種化學(xué)試劑，如果不能完全掌握整個(gè)工藝制程，則可能出現(xiàn)機(jī)臺(tái)間的交叉污染，導(dǎo)致巨大經(jīng)濟(jì)損失。
● 最后檢查階段，晶圓再生廠將進(jìn)行過再生的測(cè)試片通過厚度和缺陷檢測(cè)來進(jìn)行分類，再運(yùn)回芯片制造廠使用。
可再生指標(biāo)介紹
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